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產(chǎn)品描述：
  區(qū)熔爐有兩個生長區(qū)，可以用不同生長速率和不同組分來做比較實驗。
  隨爐四組區(qū)熔爐膛可以選擇合適晶體生長的溫度場，熔料區(qū)10~15毫米。
  12只區(qū)熔爐膛用手工方法微調(diào)保溫層厚度和長度來確定溫度梯度，在爐膛測溫孔可以測定晶體生長所需溫度梯度和合適溫場。
  SG-QRL1200區(qū)熔爐還配有晶體精密退火爐膛（尺寸由需方定）
  控制柜配裝有一套測溫系統(tǒng)，可以在晶體生長過程中帶接口的無紙記錄，配有數(shù)據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)。

技術(shù)參數(shù)：

注：可根據(jù)要求定制爐膛尺寸，其他特殊要求訂貨時請說明。