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材料

導電類型

膜層厚度

尺寸

晶向

制備方法

Pt/Ti/SiO2/Si

N型摻P,P型摻B

Pt：150nm；過渡層Ti：20nm ； SiO2： 500nm

?100mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片

Si基底晶向<100>

磁控濺射

Au/Cr/Si

N型摻P,P型摻B

Au,40~100nm,過渡層Cr,20nm

?50.8mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片

Si基底晶向<100>

磁控濺射

SiO2/Si

N型摻P,P型摻B

SiO2,100/200/300/500nm

?50.8/76.2/100mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片

Si基底晶向<100>或者<111>

干濕氧化